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骊创热销 2CK82E二极管 百分之百正品
品牌：骊创型号：2CK82E用途：功率结构：NPN管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：塑料封装工艺：合金型三极管功耗：15W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：9反向击穿电压：20V穿透电流：15A极间反向饱和电流：20AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——NPN型硅材料U—
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2019-12-15 |
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骊创热销 2CK70D二极管 百分之百正品
品牌：骊创型号：2CK70D用途：功率结构：NPN管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：塑料封装工艺：合金型三极管功耗：15W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：9反向击穿电压：20V穿透电流：15A极间反向饱和电流：20AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——NPN型硅材料U—
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2019-12-15 |
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骊创 2AP30E二极管厂家供应 百分之百正品
品牌：骊创型号：2AP30E用途：功率结构：NPN管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：塑料封装工艺：合金型三极管功耗：15W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：9反向击穿电压：20V穿透电流：15A极间反向饱和电流：20AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——NPN型硅材料U—
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2019-12-15 |
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新品推出 特价供应3AX21C 正品现货三极管 卖家包邮
品牌：TOSHIBA/东芝型号：3AX21C用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：锗封装方式：塑料封装工艺：平面型三极管功耗：500W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：1000反向击穿电压：500V穿透电流：10A极间反向饱和电流：15AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——N
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2019-12-10 |
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新品推出 特价供应2CW112二极管正品现货 卖家包邮
品牌：TOSHIBA/东芝型号：2CW112用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：锗封装方式：塑料封装工艺：平面型三极管功耗：500W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：1000反向击穿电压：500V穿透电流：10A极间反向饱和电流：15AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——N
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2019-12-10 |
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新品推出 特价供应YD2000铁路专用电路正品现货 卖家包邮
品牌：TOSHIBA/东芝型号：YD2000用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：锗封装方式：塑料封装工艺：平面型三极管功耗：500W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：1000反向击穿电压：500V穿透电流：10A极间反向饱和电流：15AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——N
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2019-12-08 |
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新品推出 特价供应3CX5A三极管正品现货 卖家包邮
品牌：TOSHIBA/东芝型号：3CX5A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：锗封装方式：塑料封装工艺：平面型三极管功耗：500W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：1000反向击穿电压：500V穿透电流：10A极间反向饱和电流：15AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——NP
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2019-12-08 |
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骊创供应3CT105J可控硅厂家现货 百分之百正品
品牌：骊创型号：3CT105J用途：功率结构：NPN管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：塑料封装工艺：合金型三极管功耗：15W频率特性：50MHz工作电压：220V工作电流：20A电流放大倍数：9反向击穿电压：20V穿透电流：15A极间反向饱和电流：20AA——PNP型锗材料：B——NPN型锗材料C——PNP型硅材料：D——NPN型硅材料U
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2019-12-03 |
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